초전도체 특성 개량을 위한 새로운 시도, 진보성 인정!

오늘 소개할 판례는 초전도체 기술 분야에서 진보성이 인정된 흥미로운 사례입니다. 기존 기술 대비 새로운 구조를 제시하여 초전도체의 성능 향상을 꾀한 발명이 특허로서 인정받았는데요, 자세한 내용을 함께 살펴보겠습니다.

기존 기술의 문제점과 새로운 해결책

기존의 초전도 전기회로에서는 초전도체가 실리콘산화물과 직접 접촉하면서 몇 가지 문제가 발생했습니다. 반도체 소자에서 발생하는 열 때문에 초전도체의 신뢰도가 떨어지고, 가열된 부분의 작동 속도가 느려지는 등 초전도체의 특성에 부정적인 영향을 미쳤죠.

이번 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해 초전도체와 실리콘산화물 사이에 실리콘질화물 절연막을 형성하는 새로운 구조를 제시했습니다. 산화물이 아닌 질화물을 절연막으로 사용함으로써 초전도체의 특성을 개량하고자 한 것이죠.

쟁점: 진보성의 유무

특허청은 이 발명이 기존의 '터널 접합형 조셉슨 소자' 기술(일본 특허공보 昭 58-128780호)과 유사하다는 이유로 진보성을 부정했습니다. 두 기술 모두 질화물을 절연물질로 사용하여 높은 절연성을 얻는다는 공통점이 있다는 것이죠.

하지만 대법원은 이러한 특허청의 판단이 잘못되었다고 판결했습니다. (대법원 1995. 11. 21. 선고 94후272 판결, 특허법 제29조 제2항 참조)

대법원의 판단: 진보성 인정!

대법원은 두 발명의 목적, 기술적 구성, 작용 효과가 서로 다르다고 판단했습니다.

• 목적: 이 발명은 산화물 접촉으로 인한 초전도체 특성 저하를 방지하는 것을 목표로 합니다. 반면, 인용발명은 두 초전도체 사이의 절연을 통해 높은 절연 효과를 얻는 것이 목적입니다.

• 구성: 인용발명은 실리콘산화물 절연층 위에 질화실리콘 장벽층을 형성하는 반면, 이 발명은 실리콘기판과 초전도체 사이, 그리고 초전도체들 사이에 모두 실리콘질화물 절연층을 형성합니다.

• 효과: 이 발명의 절연막은 전류 흐름을 차단하지만, 인용발명의 장벽층은 일정 전압 이상에서 전류가 흐르도록 합니다.

이러한 차이점들을 근거로 대법원은 이 발명이 기존 기술로부터 용이하게 발명될 수 없다고 판단, 진보성을 인정했습니다. 즉, 단순히 질화물을 절연물질로 사용한다는 공통점만으로 진보성을 부정해서는 안 된다는 것이죠.

결론

이 판례는 발명의 진보성 판단에 있어 단순히 구성 요소의 유사성만 볼 것이 아니라, 발명의 목적, 구성, 효과를 종합적으로 고려해야 한다는 점을 보여줍니다. 초전도체 기술 분야의 발전에 기여할 새로운 시도가 특허로서 보호받을 수 있도록 대법원이 정확한 판단을 내린 사례라고 할 수 있습니다.